Ведущий мировой производитель полупроводников ROHM разработал новый силовой MOSFET на 100 В, RY7P250BM, специально для цепей горячей замены (hot-swap) в ИИ-серверах с питанием 48 В. Данный компонент получил рекомендацию от ведущей глобальной облачной платформы.

Новый MOSFET решает ключевые задачи, сочетая широкую область безопасной работы (SOA) с низким сопротивлением открытого состояния:

Широкая SOA: Способен выдерживать скачки тока до 50 А (импульс 1 мс) и 16 А (импульс 10 мс) при 48 В, что гарантирует высокую надежность.

Низкое сопротивление: RDS(on) всего 1,86 мОм, что примерно на 18% снижает потери и нагрев по сравнению с аналогами.

Это повышает стабильность системы и эффективность питания, способствуя снижению эксплуатационных затрат. Прибор выполнен в стандартном корпусе 8×8 мм для простого монтажа.