4 декабря 2025 года, Шанхай и Сучжоу, Китай — Компании onsemi и Innoscience сегодня совместно объявили о подписании стратегического меморандума о взаимопонимании (MOU) для углубленного сотрудничества в области разработки, производства и продвижения на рынке силовых приборов на основе нитрида галлия (GaN). Партнерство направлено на совместное ускорение построения глобальной экосистемы отрасли GaN.

Согласно меморандуму, сотрудничество начнется со средневольтных и низковольтных силовых приборов на 40-200 В, объединяя экспертизу onsemi в области корпусирования, драйверов и системной интеграции с зрелыми возможностями Innoscience по производству пластин GaN и массовому выпуску продукции. Цель состоит в том, чтобы предоставить более экономически эффективные и производительные решения на основе GaN для таких рынков, как промышленность, автомобилестроение, телекоммуникационная инфраструктура, потребительская электроника и центры обработки данных ИИ.

Приборы GaN обеспечивают высокую скорость переключения, малые размеры и низкое энергопотребление, позволяя получать большую мощность при меньших габаритах. Однако их применение в средневольтной и низковольтной областях ранее сдерживалось ограниченной доступностью продукции и недостаточными производственными мощностями. Данное сотрудничество направлено на преодоление этих барьеров путем интеграции технологических преимуществ и производственных ресурсов обеих сторон для ускорения выхода на рынок и содействия широкомасштабному внедрению технологии GaN на основных мировых рынках.

Сотрудничество охватывает несколько ключевых областей применения, включая драйверы двигателей промышленных роботов, солнечные микроинверторы, автомобильные DC/DC-преобразователи, источники питания для телекоммуникационной инфраструктуры, адаптеры питания для потребительских устройств и промежуточные шинные преобразователи для центров обработки данных ИИ, среди прочего.

Для клиентов это сотрудничество принесет три значительных преимущества: во-первых, ускорение процесса коммерциализации продукции за счет использования технологической синергии обеих сторон для быстрого прототипирования и разработки; во-вторых, создание масштабируемых возможностей массового производства для удовлетворения спроса на GaN-приборы в больших объемах на массовом рынке; и в-третьих, снижение общих системных затрат за счет оптимизированного корпусирования, сокращения количества компонентов и упрощения управления тепловым режимом для достижения более компактных и конкурентоспособных по стоимости решений.

Обе стороны оценивают, что мировой рынок силовых приборов GaN достигнет 2,9 млрд долларов США к 2030 году. Ожидается, что это сотрудничество принесет обеим компаниям потенциальную стоимость в миллиарды долларов и будет способствовать дальнейшему распространению технологии GaN в области эффективного преобразования энергии.