图片展示

Toshiba начинает отгрузку тестовых образцов 1200-вольтового SiC MOSFET с канавчатым затвором для повышения эффективности центров обработки данных следующего поколения

автор:hk linklight electronics limited Просматривать: время выдачи:2026-05-25 16:16:28

Шанхай, Китай – 21 мая 2026 г. – Компания Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba») сегодня объявила о начале отгрузки тестовых образцов SiC MOSFET с канавчатым затвором на 1200 В – «TW007D120E». Это изделие предназначено в первую очередь для систем электропитания центров обработки данных (ЦОД) следующего поколения, а также подходит для оборудования возобновляемой энергетики.

 

С бурным развитием генеративного ИИ проблема растущего энергопотребления в ЦОД становится всё более острой. Широкое внедрение высокомощных AI-серверов и увеличение количества архитектур с высоковольтной (800 В) передачей постоянного тока (HVDC) стимулируют спрос на системы электропитания с более высокой эффективностью преобразования и более высокой плотностью мощности. В ответ на эти потребности Toshiba разработала TW007D120E, который помогает снизить энергопотребление и обеспечить более компактные и эффективные системы питания.

 

TW007D120E использует запатентованную структуру канавчатого затвора Toshiba для достижения лидирующего в отрасли низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади (RDS(on)A). Более низкое сопротивление снижает потери проводимости, а также обеспечивает меньшие потери при переключении. По сравнению с существующими продуктами Toshiba, TW007D120E снижает RDS(on)A примерно на 58% и улучшает показатель качества (RDS(on) × Qgdd) примерно на 52%. Эти характеристики помогают системам питания ЦОД работать эффективно с уменьшенным тепловыделением, повышая общую эффективность системы. Это способствует увеличению плотности мощности и улучшению теплоотвода силового каскада – критически важных параметров для преобразования питания в ЦОД следующего поколения.

 

Toshiba планирует начать серийное производство TW007D120E в 2026 финансовом году и продолжит расширять линейку продукции, включая разработку устройств для автомобильных применений. С помощью этого SiC MOSFET с канавчатым затвором Toshiba поможет ЦОД и различному промышленному оборудованию повысить энергоэффективность и сократить выбросы CO₂, внося вклад в создание низкоуглеродного общества.


HONG KONG LINK LIGHT ELECTRONICS LIMITED

Менеджер по продажам:Julia

Телефон+86 18825234070

Электронная почта :sales@hklinklight.com

Адрес: Китай, г. Шэньчжэнь, район Футянь, ул. Шэньнань Чжунлу, д. 3018, Здание Банка Коммуникаций, офис 2501-G

 

 

 

 

Branch in Belarus (Minsk) : Atlant-elektro Ltd
Электронная почта: sales@atlant-e.by
Телефон: +375 (29) 892-49-59
Городской телефон : 8 (017) 270-17-09

Адрес: Беларусь, г. Минск, ул. Машиностроителей, д. 28/2, офис 11

Онлайн консультация

Здравствуйте, пожалуйста, нажмите онлайн-сервис для онлайн-общения!

Контактная информация
Сканируйте QR-код
添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功
添加微信好友,详细了解产品
我知道了