2026年5月26日——SK海力士公布了一项名为iHBM的高带宽内存（HBM）散热技术。该技术通过在HBM封装内部集成一体化冷却组件，显著降低发热，提升高负载环境下的运行稳定性。据公司介绍，新方案可将热阻较现有产品降低30%以上。

iHBM将热控制元件（称为ICE，即集成冷却元件）布置于发热最集中的D22D PHY区域内部，并为热量导出建立专用通道。ICE采用不导电但具备高导热性的硅材料，在封装内部形成额外散热路径，从而改善HBM在高温、高负载条件下的热管理表现。

制造方面，iHBM采用经过市场验证的Advanced MR-MUF基础WLP工艺，支持稳定的大规模量产。SK海力士表示，该技术与客户现有系统级封装环境具有较高的设计兼容性，导入时无需大幅修改设计，可直接应用于现有体系。

SK海力士计划从HBM5等下一代产品开始导入iHBM技术，以满足高性能计算、AI数据中心等超高集成度和超高带宽场景下更严格的散热需求，提升系统整体稳定性和运营效率。

SK海力士负责封装开发的副总裁李康旭表示：“iHBM是结合内存设计能力与先进封装技术开发的散热优化方案，目标是为AI应用环境下的客户需求提供更及时的支持。”随着AI计算负载持续增长，HBM的发热控制正成为影响性能释放和系统可靠性的关键环节，厂商也在持续推进相关封装与散热技术升级。